掃描電鏡（SEM）低真空模式適用于不導(dǎo)電或弱導(dǎo)電樣品、易充電材料以及含水或易揮發(fā)物質(zhì)的樣品。不同品牌 SEM 對低真空模式的參數(shù)和工作壓力范圍略有不同，因此選擇時需結(jié)合設(shè)備規(guī)格和實驗要求。

低真空模式通過在樣品腔體保留少量氣體（通常氮氣或空氣）來中和電子束照射產(chǎn)生的電荷，從而減少絕緣樣品表面充電效應(yīng)。這使得未鍍導(dǎo)電膜的生物組織、聚合物、陶瓷、礦物以及粉末材料等可以直接觀察，無需復(fù)雜前處理。

同時，低真空模式對含水或易揮發(fā)的樣品也較友好，因為氣體環(huán)境可以部分抑制水分快速蒸發(fā)或樣品干縮。對于某些薄膜或柔性材料，也能減少高真空條件下的結(jié)構(gòu)變形。

需要注意的是，低真空模式下成像分辨率通常略低于高真空模式，尤其在納米級分辨率要求的實驗中，需要權(quán)衡分辨率與樣品保護(hù)之間的關(guān)系。